西安两所高校入选2024年度中国第三代半导体技术十大进展！

原标题：西安两所高校入选2024年度中国第三代半导体技术十大进展！

11月18日至21日，第十届国际第三代半导体论坛暨第二十一届中国国际半导体照明论坛在江苏苏州举行。

2024年度中国第三代半导体技术十大进展在论坛上重磅揭晓。其中，西安电子科技大学和西安交通大学的科研成果入选。

西安电子科技大学

郝跃院士课题组在6—8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术上实现重大突破。课题组的李祥东教授告诉记者，团队陆续攻克了该类电子器件外延、设计、制造和可靠性等系列难题，成果成功应用于功率半导体系列产品中。

西安交通大学

王宏兴教授研究团队成功实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底国产化。团队历经10年潜心研发，通过对成膜均匀性、温场、流场及工艺参数的有效调控，独立自主开发了2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底，提高了异质外延单晶金刚石成品率与晶体质量，并成功实现批量化生产。这一创新成果标志着我国在金刚石超宽禁带半导体材料领域的研究已达到国际领先水平，为金刚石的半导体应用奠定了基础。

2024年度中国第三代半导体技术十大进展

01 6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术实现重大突破。

02 垂直注入铝镓氮基深紫外发光器件的晶圆级制备。

03 基于铟镓氮红光Micro-LED芯片的全彩显示技术。

04 高功率密度、高能效比深紫外Micro-LED显示芯片。

05 氮化镓缺陷引起的局域振动的原子尺度可视化。

06 千伏级氧化镓垂直槽栅晶体管。

07 2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底实现国产化。

08 8英寸碳化硅材料和晶圆制造实现产业化突破。

09 国产车规级碳化硅MOSFET器件实现新能源汽车电驱应用。

10 氮化镓基蓝光激光器关键技术取得产业化突破。

拓展阅读

第三代半导体产业技术创新战略联盟(以下简称“联盟”)是在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半导体相关的科研机构、高等院校、龙头企业自愿发起并在民政部门正式注册成立的社团法人，是为第三代半导体及相关新兴产业提供全方位创新服务的新型组织。

联盟通过在全球范围内集成和共享创新资源，构建以市场为牵引，研发、产业、资本深度融合的产业创新体系，引领第三代半导体的跨区域、跨学科、跨行业的协同发展。

联盟发起的目的主要是围绕产业链构建创新链，促进产学研合作以及跨界应用的开放协同创新，推动产业生态体系的建设，培育形成一批拥有自主知识产权、知名品牌和市场竞争力强的骨干企业，形成全国一盘棋的发展合力，抓住换道超车的历史发展机遇，实现创新驱动发展，抢占国际第三代半导体产业发展的制高点，重构全球半导体产业格局。